Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30901
Назва: Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
Інші назви: Formation of a potntial structure in a matrix GaAs with quantum points InAs
Автори: Даньків, О. О.
Пелещак, Р. М.
Пелещак, Б. М.
Бібліографічний опис: Даньків О. О. Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs / О. О. Даньків, Р. М. Пелещак, Б. М. Пелещак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 126–134. – Бібліографія: 16 назв.
Дата публікації: 2003
Короткий огляд (реферат): Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30901
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
19-126-134.pdf992,89 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.