Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30872
Назва: Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К
Інші назви: Temperature dependens investigation of doper indium antimonide microcristals parameters
Автори: Большакова, І. А.
Заячук, Д. М.
Московець, Т. А.
Макідо, О. Ю.
Копцев, П. С.
Шуригін, Ф. М.
Бібліографічний опис: Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Т. А. Московець, О. Ю. Макідо, П. С. Копцев, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 86–91. – Бібліографія: 8 назва.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Короткий огляд (реферат): Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30872
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
13-86-91.pdf709,13 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.