Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30867
Назва: Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням
Інші назви: Time stability of cdxHg1-xTe p-n structures created by ion beam milling
Автори: Богобоящий, В. І.
Іжнін, І. П.
Савицький, Г. В.
Юденков, В. О.
Бібліографічний опис: Богобоящий В. І. Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням / В. В. Богобоящий, І. І. Іжнін, Г. В. Савицький, В. О. Юденков // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 119–125. – Бібліографія: 14 назв.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Короткий огляд (реферат): Досліджено довгочасові (10 років) та короткочасові (4 місяців) релаксації електрофізичних параметрів p-n структур, створених іонно-променевим травленням (ІПТ) на вакансійно-легованих епітаксійних плівках p-CdXHg1-XTe, при зберіганні їх при кімнатній температурі. Виявлено різний характер релаксації електричних параметрів створених ІПТ порушеного шару та основного конвертованого n-шару.Релаксація параметрів порушеного шару пов'язується з самовідпалом радіаційних структурних дефектів,створених під час іонного бомбардування. Релаксація властивостей основного об'єму конвертованого шару пов'язана з наявністю в досліджених зразках неконтрольованих акцепторних домішок I, V гупи, тобто з розпадом створених в процесі ІПТ донорних дефектів, пов'язаних з такими домішками. Показано,що переважно релаксація параметрів відбувається протягом перших 4-5 місяців, після чого параметри структур стабілізуються і зберігаються упродовж 10 років. The long (10 years) and the short time (4 months) relaxation of p-n structures electrical parameters by ion beam (IBM) in vacancy-doped epitaxial films p-CdXHg1-XTe were investigated. It was revealed the different character of relaxation of the electrical parameters created by IBM of damaged layer and of n-layer main volume. The relaxation of parameters of damage layer is due to self-annealing of structural defects created durig ion bombardment. The relaxation of parameters of converting layer's main volume is due to presents in the samples residual acceptor dopants of the I, V groups so with dissociation of donor defects associated with this dopants and created during IBM. It was shown that parameters relaxation mainly occur at the first 4-5 month, afther that parameters of the structures become stabilize.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30867
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
18-119-125.pdf754,19 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.