Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30808
Назва: Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si
Інші назви: Strain induced effects in Ge-Si solid solution whiskers
Автори: Дружинін, А. О.
Островський, І. П.
Лях, Н. С.
Матвієнко, С. М.
Бібліографічний опис: Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Н. С Лях, С. М. Матвієнко // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 105–111. – Бібліографія: 14 назв.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Львівська політехніка
Короткий огляд (реферат): Досліджено деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) p-типу провідності в температурному діапазоні (4,2 ... 300 K). Досліджувався вплив деформації на термо-ЕРС та електропровідність НК. Встановлено залежність енергії активації домішок від деформації НК. Виявлено гігантські коефіцієнти п'єзо-Зеєбека та тензочутливості в НК Ge-Si поблизу переходу метал-діелектрик за гелієвої температури. Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки та температури. Обговорено поведінку коефіцієнта Зеєбека при деформації розтягу та стиску кристалів. Strain-inducted effects in p-type GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) solid solution whiskers in temperature range 4,2 ... 300 К were investigated. An influense of strain on thermo-e.m.f., conductance in the whiskers was studied. Dependency of impurity activation energy on strain was established. Giant piezo-Seebeck coeffitients and gauge factors in Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insuator transition at 4,2 K were found. Dependencies of gauge on temperature and impurity concentration in the whiskers were investigated. Seebeck coefitient behaviour at strain was discussed.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30808
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
16-105-111.pdf764,35 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.