Електроніка. – 2003. – №482 : [26] Домівка зібрання Перегляд статистики

Огляд
Підпишіться на це зібрання, щоб щодня отримувати повідомлення по електронній пошті про нові додавання RSS Feed RSS Feed RSS Feed
Матеріали зібрання (Дати збереження, сортування за спаданням): від 1 до 20 з 26
ТипДата випускуНазваАвтор(и)
Other2003Зміст до Вісника "Електроніка", № 482-
Other2003Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482-
Article2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Article2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Article2003Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTeЯковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.
Article2003Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратівБольшакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.
Article2003Електричні властивості структур напівпровідників-феритЮщук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.
Article2003Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодіїТовстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.
Article2003Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходівТиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.
Article2003Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалахСиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.
Article2003Вплив товщини фазової голограми на її параметриФітьо, В. М.
Article2003Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAGБурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.
Article2003Фазовий перехід Pbnm - R-3c в La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3Сенишин, А. Т.; Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.
Article2003Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрівПелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.
Article2003Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідникаГородниченко, О. С.; Гнатюк, В. А.; Юр'єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.
Article2003Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивостіВойцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.
Article2003Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктівСеменюк, А. Й.
Article2003FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюоритуКачан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.
Article2003Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAsДаньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
Article2003Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тілБерченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.
Матеріали зібрання (Дати збереження, сортування за спаданням): від 1 до 20 з 26