Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2608
Назва: Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.
Інші назви: Formation of gaas buffer layers for growing of quantum dots by low temperature liquid phase epitaxy method
Автори: Заячук, Д. М.
Круковський, С. І.
Михащук, Ю. С.
Бібліографічний опис: Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, Ю. С. Михащук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 71–76. – Бібліографія: 10 назв.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Теми: галієві розчини-розплави
технологічні режими
technological conditions
growing of GaAs
Короткий огляд (реферат): Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2608
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2009. – №646

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
11.pdf779,15 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.