Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2601
Title: Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
Other Titles: Heavy-hole scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in znxcd1-xte (0.16 ≤ x ≤ 0.9) solid solution
Authors: Малик, О. П.
Bibliographic description (Ukraine): Малик О. П. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9) / О. П. Малик // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 158–163. – Бібліографія: 31 назвa.
Issue Date: 2009
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Keywords: розсіяння носія заряду
рухливість важких дірок
charge carrier scattering
heavy-hole mobility
Abstract: Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2601
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2009. – №646

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
23.pdf401,09 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.