Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2601
Назва: Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
Інші назви: Heavy-hole scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in znxcd1-xte (0.16 ≤ x ≤ 0.9) solid solution
Автори: Малик, О. П.
Бібліографічний опис: Малик О. П. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9) / О. П. Малик // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 158–163. – Бібліографія: 31 назвa.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Ключові слова: розсіяння носія заряду
рухливість важких дірок
charge carrier scattering
heavy-hole mobility
Короткий огляд (реферат): Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2601
metadata.dc.type: Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2009. – №646

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
23.pdf401,09 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.