Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2529
Назва: Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3
Інші назви: Thin-film thermoelectric modules on the basis narrow gap semiconductors V2VI3
Автори: Курило, І. В.
Лопатинський, І. Є.
Рудий, І. О.
Фружинський, М. С.
Вірт, І. С.
Шкумбатюк, Т. П.
Бібліографічний опис: Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3 / І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, І. О. Рудий, М. С. Фружинський, І. С. Вірт, Т. П. Шкумбатюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 17–23. – Бібліографія: 7 назв.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Теми: імпульсне лазерне осадження
питомий опір плівок
pulsed laser deposition
еlectrical resistivity was measured i
Короткий огляд (реферат): Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5. Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2529
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2009. – №646

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
03.pdf2,3 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.