Пошук


Почати новий пошук
Додати фільтри:

Використовуйте фільтри для уточнення результатів пошуку.


Результати 1-100 зі 497 (час пошуку: 0.004 секунди).
Знайдені матеріали:
Попередній переглядТипДата випускуНазваАвтор(и)
Article2004Потенціальний профіль квантової ями ZnSe у гетероструктурі ZNSE/ZNS В залежності від концентрації електронів провідностіРоманів, І. Б.
Article2011Властивості органічного світлодіода на основі піразоліну, заміщеного в положенні 5 екранованим феноломГотра, З. Ю.; Стахіра, П. Й.; Черпак, В. В; Волинюк, Д. Ю.; Хом’як, С. В.; Возняк, Л. Ю.; Сорокін, В. М.; Рибалочка, А. В.; Олійник, О. С.
Article2007Зміст до до Вісника "Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика"-
Article2008Поруваті шари кремнієвих підкладок для фотоелектричних перетворювачівЄрохов, В. Ю.; Кухта, О. В.
Article2004Непружне розсіювання електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки в твердому розчиніМалик, О. П.
Article2004Фотопровідність CdTe, легованого алюмініємПігур, О. М.; Цюцюра, Д. І.; Британ, В. Б.; Шуптар, Д. Д.; Крилюк, С. Г.
Article2004Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структурЮщук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.
Article2009Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметриБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2009Роль поверхні у процесі перезарядження Yb2+ ® Yb3+ у монокристалічних епітаксійних шарах Yb:Y3Al5O12Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. І.; Бьоргер, А.; Беккер, К. Д.
Article2011Моделювання процесів взаємодії випромінювання з середовищами з врахуванням поглинання та розсіянняДемкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Олешкевич, В. П.; Бобицький, Я. В.
Article2011Резонансні рівні потенційної ями, утвореної прямокутними бар’єрами скінченної висотиФітьо, В. М.
Article2011Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структурВаків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Article2011Структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO ТА ZnMnOКурило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Потера, П.; Лука, Г.
Article2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2000Ефект п’єзо-зеєбека в кремнії р-типуДружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.
-2000Зміст до до Вісника "Електроніка"-
Article2011Параметри та моделі двокоординатного сканера магнітного поля на основі розщеплених холлівських структурБольшакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Марусенкова, Т. А.
Article2004Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристикиТампль-Буайє, П'єр; Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гуменюк, І. А.
Article2004Багатоелементні інфрачервоні фотоприймачі на основі епітаксійних гетероструктур P-Pb/xSnxTe/ySey/J-Pb0,8oSn0,2oTeЦаренко, О. М.; Рябець, С. І.; Ткачук, А. І.
Article2009Топологія напруженості високочастотного поля котушки давача радіоспектрометраБраїловський, В. В.; Саміла, А. П.; Хандожко, О. Г.
Article2011Структурна модифікація бінарних as-базованих халькогенідних склуватих напівпровідниківШпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.
Article2011Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадміюМахній, В. П.; Мельник, В. В.; Сльотов, М. М.; Ткаченко, І. В.
-2000Титульний аркуш до Вісника "Електроніка"-
Article2004Ефекти екранування в легованих кристалахБуджак, Я. С.
Article2004Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точціДаньків, О. О.; Пелещак, Р. М.
Article2009Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.
Article2009Взаємодія рідкісноземельних алюмінатів в системах на основі PrAlO3 та LaAlO3Басюк, Т. В.; Василечко, Л. О.; Сиворотка, І. І.; Березовець, В.; Фадєєв, С. В.
Article2009Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксіїДружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.
Article2011Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачівЄрохов, В. Ю.
Article2011Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки “І”Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.
Article2011Зміна ширини забороненої зони у наноструктурі залежно від її конфігураційних особливостейТовстюк, К. К.; Прийма, Ю. В.; Дума, М. В.
Article2004Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п’єзорезистивних сенсорівДружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
Article2009Диференціальний термічний аналіз шихти Si–Se, Ag-Si–Se в процесі її нагрівання та синтезу сполук SiSe2, Ag8SiSe6Чекайло, М. В.; Українець, В. О.; Ільчук, Г. А.; Павловський, Ю. П.
Article2004Особливості деградації поверхнево-бар’єрних структур метал-P-CDTEУкраїнець, В. О.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Петрусь, Р. Ю.; Лобойко, В. І.
Article2009Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структуроюБольшакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Мороз, А. П.; Єрашок, В. Е.; Марусенкова, Т. А.
Article2009Архітектура й елементи інтегрованої мікросистеми на базовому матричному кристалі з КНІ-структуроюКогут, I. T.; Дружинін, А. О.; Голота, В. І.
Article2004Домішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритівКачан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.; Дубельт, С. П.
Article2004Фототепловий метод вимірювання характеристик матеріалівДемкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Бобицький, Я. В.
Article2004Методика вивчення просторової анізотропії акустооптичного ефекту на прикладі кристалів бета борату баріюАндрущак, А. С.; Бобицький, Я. В.; Кайдан, M. B.; Кітик, А. В.; Тибінка, Б. В.
Article2004Модель міжатомних взаємодій у вольфраматі кальціюСенишин, А. Т.; Яковина, В. С.; Полигач, Є. О.
Article2004Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ямиСиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Article2004Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської формиТиханський, М. В.; Тиханська, К. М.
Article2011Приладно-технологічне моделювання нанорозмірних тривимірних КНІ-структурДружинін, А. О.; Когут, І. Т.; Голота, В. І.; Довгий, В. В.
Article2011Динаміка термоіндукованих наноструктурних перетворень у халькогенідному скліГоловчак, Р. Я.
Article2011ЕПР І ЯКР у шаруватому кристалі GaSe:GdХандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Саміла, А. П.; Ковалюк, З. Д.
Article2011Термолюмінесцентні властивості нанокристалічних порошків YaG та YaG:Nd в діапазоні температур 300–700 КЖидачевський, Я. А.; Сугак, Д. Ю.; Сиворотка, І. І.; Борщишин, І. Д.; Лучечко, А. П.
Article2009„PRE”-„POST” спряжена модифікація пористої і електронної будови активованого вугілля, отриманого з лляного волокнаКаліцінський, В. З.; Григорчак, І. І.; Бордун, І. М.; Матулка, Д. В.; Чекайло, М.; Кулик, Ю. О.
Article2009Адгезія та надійність струмопровідних шарів, виготовлених струменевим друком наночастинок сріблаЛесюк, Р. І.; Бобицький, Я. В.; Їллек, В.; Савчук, В. К.; Котлярчук, Б. К.
Article2011Дрібні комплекси магнітних домішок у діамагнітній матриці:магнітна сприйнятливість і температура КюріЗаячук, Д. М.; Мишак, Р. М.
Article2011Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-GeМар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.
Article2000Об'ємне моделювання процесів у холлівських пластинах в сильно неоднорідних магнітних поляхБольшакова, І. А.; Бондарєв, А. П; Тихонюк, Р. Б.
Article2000Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалівБуджак, Я. С.; Готра, О. З.; Лопатинський, І. Є.
Article2000Експериментальне дослідження і моделювання струмових імпульсів від’ємної корони у потоці аргону та азоту із електровід’ємними домішкамиЧигінь, В. І.
Article2009Хімічний потенціал як важлива характеристика в аналізах кінетичних властивостей кристалівБуджак, Я. С.; Зуб, О. В.
Article2000Експериментальне дослідження доменної структури в епітаксійних плівках залізо-іттрієвого гранатуУбізський, С. Б.
Article2007Ефекти блокування лімітуючої негельмгольцевої ємності в напористих і нанокомпозитних структурах та їх застосування для створення зміннострумових суперконденсаторівГригорчак, І. І.; Каліцінський, В. З.; Ріпецький, Є. Й.; Міцов, М. М.
Article2007Вплив часткових заміщень компонентів на кристалічну структуру сполук серії M2Cu2O3-CuO2Заремба, О. І.; Гладишевський, Р. Є.
Article2007Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМДЮр’єв, С. О.; Юрчишин, П. І.; Ющук, С. І.
Article2007Структура та оптичні властивості прозорих електропровідних плівок на основі BaCuTeFГотра, З. Ю.; Тейт, Д. Ж.; Дутчак, З. А.; Закутаєв, А. А.; Ракобовчук, Л. М.; Яворський, Б. М.; Кікінеші, Р.
Article2007Магнітна сприйнятливість та намагніченість ниткоподібних кристалів Si-GeДружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.
Article2007Електронна енергетична структура кристала InN, розрахована на функціях Блоха і плоских хвиляхСиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Article2008Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структурДружинін, А. О.; Голота, В. І.; Когут, І. Т.; Ховерко, Ю. М.
Article2008Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцемРибак, О. В.
Article2000Полімерні плоско-опуклі мікролінзиБобицький, Я. В.; Лаба, Г. П.
Article2003Електричні властивості структур напівпровідників-феритЮщук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.
Article2000Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.
Article2008Залежність струму корони від тиску повітряЧигінь, В.; Проць, О.; Горун, П.
Article2000Легкі дірки в CdxHg1-xTeІжнін, І. І.
Article2000Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напругиГоляка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Максимів, І. В.
Article2000Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазеромКособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
Article2000Термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу у шаруватих напівпровідникахТовстюк, К. К.
Article2008Внутрішньо-сенсибілізований діоксид титану в процесах інтеркаляційного фотоакумулювання сонячної енергіїБахматюк, Б. П.; Григорчак, І. І.; Іващишин, Ф. О.; Ріпецький, Р. Й.
Article2003Магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремнюВаршава, С. С.; Островський, І. П.; Цмоць, В. М.; Павловський, Ю. В.; Паньків, Л. І.
Article2003Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодіїТовстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.
Article2003Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-SiДружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
Article2003Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAsДаньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
Article2003Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрівПелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.
Article2004Аналіз конверсії типу провідності в легованому домішками Ag, Cu P-CdxHgixTe при іонному травленні та відпалі анодного оксидуЮденков, В. О.
Article2004Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокаціїБаран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.
Article2004Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовахБритан, В. Б.; Цюцюра, Д. І.; Пігур, О. М.; Ковачьчук, І. В.; Денис, Р. В.; Кричюк, С. Г.
Article2009Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинкомЛогуш, О. І.; Павлиш, В. А.
Article2000Розсіювання світла на конфокальних доменах в індукованих холестерикахМикитюк, З. М.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.
Article2000Підвищення якості зображень в радіолокаційних системах з синтезованою апертуроюКлепфер, Є.; Прудиус, І.; Синявський, А.
Article2000Товстоплiвковi конденсатори на iзоляцiйних пастахСмеркло, Л.; Дячок, Д.; Кучмій, Г.
Article2000Вплив іонізуючого випромінювання та температурних обробок на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3, легованих іонами d- та f-елементівЖидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.; Сольський, І. М.; Лутц, Г.; Працка, І.
Article2007Заповнення матриць лінійного електрооптичного ефекту в кристалах довільного класу симетрії. Апробація методу на прикладі кристалів ніобату літіюАндрущак, А. С.; Мицик, Б. Г.; Дем'янишин, Н. М.; Кайдан, М. В.; Юркевич, О. В.
Article2007Частотна залежність чутливості інтерферометра Майкельсона при реєстрації поверхневих акустичних хвильМокрий, О. М.
Article2000Процеси термоелектричних явищ у квазідвовимірних електронних системах на основі квантових ямВенгрин, Б. Я.; Костробій, П. П.; Петров, П. П.
Article2000Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поляБаран, М. М.; Пелещак, Р. М.
Article2008Напівпровідникові резистивні сенсори для моніторингу якості харчових продуктівЦіж, Б. Р.; Чохань, М. І.; Портаж, Ю. Р.; Аксіментьєва, О. І.
Article2000Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕКруковський, С. І.; Завербний, І. Р.
Article2000Хемосорбція воднеподібних атомів на кристалічних поверхнях напівпровідників та діелектриківРудавський, Ю. К.; Понеділок, Г. В.; Петрів, Ю. І.
Article2000Термо- і фотостимульовані перетворення центрів забарвлення у кристалах SrCl2-Ме+Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Щур, Г. О.; Кульчицький, А. Д.; Салапак, В. М.
Article2000Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПРЗаячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.
Article2000Розробка алгоритмичної бази для мікроелектронних систем аналізу біоелектричних сигналівДорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.
Article2004Пориста структура, розмірні ефекти та асиметрія катодно-анодної поляризації вуглецевих матеріалів у конденсаторах з подвійним електричним шаромВенгрин, Б. Я.; Бахматюк, Б. П.
Article2004Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки YbЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Article2004Термічне розширення CeGa03 перовськітуВасилечко, Л. О.; Сенишин, А. Т.
Article2004Термічне розширення орторомбічних перовськітів RGaO3 (R=La-Gd)Сенишин, А. Т.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.
Article2004Центри забарвлення в кристалах YAІ03Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.
Результати 1-100 зі 497 (час пошуку: 0.004 секунди).