Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-16 of 16 (Search time: 0.125 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
Article2009Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметриБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2008Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inasБольшакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.
Article2008Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакційБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2007Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs–Sn–HClШуригін, Ф. М.; Макідо, О. Ю.; Кость, Я. Я.
Article2007Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фазиБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2003Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525КБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge<In>-I2Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Article2006Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSbБольшакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Шуригін, Ф. М.; Ковальова, Н. В.
Article2013Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фазиБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Article2013Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерівБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Article2010Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторіБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2004Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індіюБольшакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2002Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронівТиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2010Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2012Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалівБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Results 1-16 of 16 (Search time: 0.125 seconds).
  • previous
  • 1
  • next