Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24078
Title: Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі
Other Titles: Tecnology of obtaining whiskers GaAs in open flow reactor
Authors: Большакова, І. А.
Заячук, Д. М.
Кость, Я. Я.
Макідо, О. Ю.
Шуригін, Ф. М.
Bibliographic description (Ukraine): Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 75–79. – Бібліографія: 7 назв.
Issue Date: 2010
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: арсенід галію
нановіскер (нанодротина)
віскер
механізм ПРК
парогазова фаза
проточний реактор
дозрівання Освальда
gallium arsenide
nanowhisker (nanowire)
whisker
VLS mechanism
gas-vapor phase
flow reactor
Ostwald ripening
Abstract: Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24078
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2010. – №681

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
12-75-79.pdf639,29 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.