Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24076
Title: Закономірності окиснення твердого розчину Pb0,8Sn0,2Te
Other Titles: Oxidation specifics solid solution Pb0,8Sn0,2Te
Authors: Берченко, М. М.
Фадєєв, С. В.
Нікіфоров, О. Ю.
Bibliographic description (Ukraine): Берченко М. М. Закономірності окиснення твердого розчину Pb0,8Sn0,2Te / М. М. Берченко, С. В. Фадєєв, О. Ю. Нікіфоров // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 61–66. – Бібліографія: 5 назв.
Issue Date: 2010
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: IV–VI напівпровідникові сполуки
діаграми фазової рівноваги
окиснення
межа розділу власний діелектрик – напівпровідник
рентгенівська дифракція
IV–VI semiconductor compounds
Equilibrium phase diagrams
Oxidation
Native dielectric–compound semiconductor interface
X-ray diffraction
Abstract: Для оцінки хімічного складу власного оксиду твердого розчину на основі халькогенідів Pb1-хSnхTe (х=0;0,2;1) застосовано метод діаграм фазових рівноваг. Дослідження проводили за методом рентгеноструктурного аналізу термічно окиснених зразків. Результати досліджень добре узгоджуються з діаграмами фазових рівноваг. Основними сполуками, що утворюються під час окиснення твердого розчину Pb0.8Sn0.2Te є PbTeO3, SnO2, PbSnO3 та Pb2SnO4. To evaluate the chemical composition of its own oxide solid solution based on chalcogenides Pb1-хSnхTe (x= 0; 0,2;1) applied the method of phase equilibrium diagrams. Research conducted by X-ray analysis of samples that were thermal oxidation. Research results agree well with the predicted phase equilibrium diagram. The main compounds formed during oxidation of solid solution Pb0.8Sn0.2Te is PbTeO3, SnO2, PbSnO3 and Pb2SnO4.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24076
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2010. – №681

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
10-61-66.pdf236,39 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.