Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Вплив іонного травлення на дефектну структуру поверхневих шарів CdxHg1-xTe
Other Titles: Effect of ion milling on defect structure of CdxHg1-xTe surface layers
Authors: Мудрий, Р. Я.
Bibliographic description (Ukraine): Мудрий Р. Я. Вплив іонного травлення на дефектну структуру поверхневих шарів CdxHg1-xTe / Р. Я. Мудрий // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 133–138. – Бібліографія: 15 назв.
Issue Date: 2010
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: CdxHg1-xTe
іонне травлення
спектроскопія на відбивання
релаксація CdxHg1-xTe
ion milling
reflectance spectroscopy
Abstract: Наведені результати дослідження дефектної структури монокристалічних зразків CdxHg1-xTe, модифікованих іонним травленням. Дослідження виконано методом за спектроскопії на відбивання. Мірою структурної досконалості поверхневого шару кристала був обраний параметр “різкості піків” дублета E1, E1+Δ1 – Q = ΔR/R1, пов’язаного з оптичними переходами Λ4,5 → Λ6 та Λ6 → Λ6. Показано, що іонне травлення призводить до зменшення параметра різкості Q, що зумовлено утворенням радіаційно порушеного поверхневого шару. За витримки кристала за кімнатної температури параметр різкості Q зростає. На основі часової залежності Q зроблено висновок про зменшення густини дислокацій у порушеномушарі. The results of investigation of CdxHg1-xTe single crystal defect structure modified by ion milling are presented. The reflection spectroscopy method was applied for research. The "peaks sharpness" parameter of doublet E1, E1+Δ1 – Q = ΔR/R1 concerned with optical transitions Λ4,5 → Λ6 and Λ6 → Λ6 was chosen as a structural perfection extent of the crystal surface layer. It was shown that ion milling leads to decreasing of sharpness parameter Q that is caused by creation of radiation damaged surface layer. Aging at room temperature increases the crystal sharpness parameter Q. The conclusion about decreasing of dislocation density in damaged layer has been obtained on the basis of the Q time dependence.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2010. – №681

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
22-133-138.pdf333,37 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.