Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24069
Назва: Вплив іонного травлення на дефектну структуру поверхневих шарів CdxHg1-xTe
Інші назви: Effect of ion milling on defect structure of CdxHg1-xTe surface layers
Автори: Мудрий, Р. Я.
Бібліографічний опис: Мудрий Р. Я. Вплив іонного травлення на дефектну структуру поверхневих шарів CdxHg1-xTe / Р. Я. Мудрий // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 133–138. – Бібліографія: 15 назв.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: CdxHg1-xTe
іонне травлення
дефекти
спектроскопія на відбивання
релаксація CdxHg1-xTe
ion milling
defects
reflectance spectroscopy
relaxation
Короткий огляд (реферат): Наведені результати дослідження дефектної структури монокристалічних зразків CdxHg1-xTe, модифікованих іонним травленням. Дослідження виконано методом за спектроскопії на відбивання. Мірою структурної досконалості поверхневого шару кристала був обраний параметр “різкості піків” дублета E1, E1+Δ1 – Q = ΔR/R1, пов’язаного з оптичними переходами Λ4,5 → Λ6 та Λ6 → Λ6. Показано, що іонне травлення призводить до зменшення параметра різкості Q, що зумовлено утворенням радіаційно порушеного поверхневого шару. За витримки кристала за кімнатної температури параметр різкості Q зростає. На основі часової залежності Q зроблено висновок про зменшення густини дислокацій у порушеномушарі. The results of investigation of CdxHg1-xTe single crystal defect structure modified by ion milling are presented. The reflection spectroscopy method was applied for research. The "peaks sharpness" parameter of doublet E1, E1+Δ1 – Q = ΔR/R1 concerned with optical transitions Λ4,5 → Λ6 and Λ6 → Λ6 was chosen as a structural perfection extent of the crystal surface layer. It was shown that ion milling leads to decreasing of sharpness parameter Q that is caused by creation of radiation damaged surface layer. Aging at room temperature increases the crystal sharpness parameter Q. The conclusion about decreasing of dislocation density in damaged layer has been obtained on the basis of the Q time dependence.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24069
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2010. – №681

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
22-133-138.pdf333,37 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.