Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Название: Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc
Другие названия: Organic light – emitting diodes with hole transport layer NiPc
Авторы: Готра, З. Ю.
Волинюк, Д. Ю.
Возняк, Л. Ю.
Костів, Н. В.
Библиографическое описание: Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc / З. Ю. Готра, Д. Ю. Волинюк, Л. Ю. Возняк, Н. В. Костів // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 108–112. – Бібліографія: 18 назв.
Дата публикации: 2010
Издательство: Видавництво Львівської політехніки
Ключевые слова: органічний світлодіод
транспортний шар
електролюмінесценція
Light Emitting Diodes
hole transport layer
electroluminescent
Краткий осмотр (реферат): Запропоновано використання в якості транспортного шару фталоціаніну нікелю (NiPc) для підвищення ефективності роботи та електролюмінесценції органічних світловипромінювальних діодів. Створено світлодіодні структури ITO/NiPc/Alq3/PEGDE/Al та ITO/Alq3/PEGDE/Al та проведено порівняльний аналіз їхніх вольт-амперних та яскравісних характеристик. Показано, що використання плівки NiPc як дірково-транспортного шару призводить до зниження напруги живлення та покращання яскравісних характеристик органічних світлодіодів. Зниження напруги живлення відбувається за рахунок пониження потенціального бар’єра для дірок на границі розділу анод – світловипромінювальний шар. Збалансованість дрейфового потоку нерівноважних дірок, які інжектуються з NiPc, та електронів Al в шар Alq3, призводить до покращання яскравісних характеристик органічного світлодіода. Additional layer greatly improved OLED performance. In this work we have proposed using nickel phtalocyanine (NiPc) as hole transport layer. Also we have also measured current–voltage and luminescent characteristics of structures with transport layer NiPc. The efficient using NiPc hole transport layer was shown. NiPc transport layer reduce the operation voltage. It is occurred due to lowering the potential barrier for holes in ligh–temitting structure.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Тип содержания: Article
Располагается в коллекциях:Електроніка. – 2010. – №681

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
18-108-112.pdf241,94 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.