Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Title: Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc
Other Titles: Organic light – emitting diodes with hole transport layer NiPc
Authors: Готра, З. Ю.
Волинюк, Д. Ю.
Возняк, Л. Ю.
Костів, Н. В.
Bibliographic description (Ukraine): Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc / З. Ю. Готра, Д. Ю. Волинюк, Л. Ю. Возняк, Н. В. Костів // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 108–112. – Бібліографія: 18 назв.
Issue Date: 2010
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: органічний світлодіод
транспортний шар
електролюмінесценція
Light Emitting Diodes
hole transport layer
electroluminescent
Abstract: Запропоновано використання в якості транспортного шару фталоціаніну нікелю (NiPc) для підвищення ефективності роботи та електролюмінесценції органічних світловипромінювальних діодів. Створено світлодіодні структури ITO/NiPc/Alq3/PEGDE/Al та ITO/Alq3/PEGDE/Al та проведено порівняльний аналіз їхніх вольт-амперних та яскравісних характеристик. Показано, що використання плівки NiPc як дірково-транспортного шару призводить до зниження напруги живлення та покращання яскравісних характеристик органічних світлодіодів. Зниження напруги живлення відбувається за рахунок пониження потенціального бар’єра для дірок на границі розділу анод – світловипромінювальний шар. Збалансованість дрейфового потоку нерівноважних дірок, які інжектуються з NiPc, та електронів Al в шар Alq3, призводить до покращання яскравісних характеристик органічного світлодіода. Additional layer greatly improved OLED performance. In this work we have proposed using nickel phtalocyanine (NiPc) as hole transport layer. Also we have also measured current–voltage and luminescent characteristics of structures with transport layer NiPc. The efficient using NiPc hole transport layer was shown. NiPc transport layer reduce the operation voltage. It is occurred due to lowering the potential barrier for holes in ligh–temitting structure.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2010. – №681

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
18-108-112.pdf241,94 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.