Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Назва: Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc
Інші назви: Organic light – emitting diodes with hole transport layer NiPc
Автори: Готра, З. Ю.
Волинюк, Д. Ю.
Возняк, Л. Ю.
Костів, Н. В.
Бібліографічний опис: Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc / З. Ю. Готра, Д. Ю. Волинюк, Л. Ю. Возняк, Н. В. Костів // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 108–112. – Бібліографія: 18 назв.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: органічний світлодіод
транспортний шар
електролюмінесценція
Light Emitting Diodes
hole transport layer
electroluminescent
Короткий огляд (реферат): Запропоновано використання в якості транспортного шару фталоціаніну нікелю (NiPc) для підвищення ефективності роботи та електролюмінесценції органічних світловипромінювальних діодів. Створено світлодіодні структури ITO/NiPc/Alq3/PEGDE/Al та ITO/Alq3/PEGDE/Al та проведено порівняльний аналіз їхніх вольт-амперних та яскравісних характеристик. Показано, що використання плівки NiPc як дірково-транспортного шару призводить до зниження напруги живлення та покращання яскравісних характеристик органічних світлодіодів. Зниження напруги живлення відбувається за рахунок пониження потенціального бар’єра для дірок на границі розділу анод – світловипромінювальний шар. Збалансованість дрейфового потоку нерівноважних дірок, які інжектуються з NiPc, та електронів Al в шар Alq3, призводить до покращання яскравісних характеристик органічного світлодіода. Additional layer greatly improved OLED performance. In this work we have proposed using nickel phtalocyanine (NiPc) as hole transport layer. Also we have also measured current–voltage and luminescent characteristics of structures with transport layer NiPc. The efficient using NiPc hole transport layer was shown. NiPc transport layer reduce the operation voltage. It is occurred due to lowering the potential barrier for holes in ligh–temitting structure.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24065
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2010. – №681

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
18-108-112.pdf241,94 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.