Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24060
Назва: Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю
Інші назви: Electronic properties of diamond crystal with nickel impurity
Автори: Cиротюк, С. В.
Швед, В. М.
Бібліографічний опис: Cиротюк С. В. Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю / С. В. Cиротюк, В. М. Швед // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 184–190. – Бібліографія: 6 назв.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: парціальна густина електронних станів
повна густина електронних станів
гібридизовані енергетичні стани
partial density of states
total density of states
hybridized states
Короткий огляд (реферат): Розраховані густини електронних станів кристала алмазу та кристала алмазу з домішкою нікелю. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого нікелем кристала алмазу показує, що завдяки домішці нікелю вище від стелі валентної зони з’являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Алмаз з домішкою нікелю стає напівпровідником з рівнями акцепторного типу. The densities of states of diamond crystal with nickel impurity have been evaluated. The comparison of the state densities for pure crystal and for crystal with impurity shows that the hybridized states of p- and d-symmetry appear above the top of the valence band. Diamond with nickel impurity becomes the semiconductor with impurity levels of acceptor type.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24060
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2010. – №681

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
30-184-190.pdf249,46 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.