Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24025
Title: Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
Other Titles: Inverse current mechanisms in photosensitive Au/CdTe:O structures
Authors: Герман, І. І.
Махній, В. П.
Черних, О. І.
Bibliographic description (Ukraine): Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.
Issue Date: 2013
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: Телурид кадмію
поверхнево-бар’єрний діод
надбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струм
тунелювання
ударна іонізація
cadmium telluride
surface-barrier diode
generation-recombination current
tunneling
impact ionization
Abstract: Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24025
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2013. – №764

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14-88-91.pdf209,05 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.