Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24013
Title: Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази
Other Titles: Properties of GaxIn1-xAs solid solution whiskers grown from vapor phase by method of chemical transport reactions
Authors: Большакова, І. А.
Кость, Я. Я.
Макідо, О. Ю.
Стецко, Р. М.
Шуригін, Ф. М.
Bibliographic description (Ukraine): Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 112–118. – Бібліографія: 8 назв.
Issue Date: 2013
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: пара-рідина-кристал
твердий розчин
мікрокристали
арсенід індію
арсенід галію
vapor-liquid-crystal
solid solution
microcrystals
indium arsenide
gallium arsenide.
Abstract: Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24013
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2013. – №764

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20-112-118.pdf302,91 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.