Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24010
Назва: Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
Інші назви: Obtaining of weakly doped with silica thick I-GaAs layers by liquid-phase epitaxy method
Автори: Ваків, М. М.
Круковський, С. І.
Тимчишин, В. Р.
Бібліографічний опис: Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 102–106. – Бібліографія: 7 назв.
Дата публікації: 2013
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: легуввання
рідиннофазна епітаксія
дисилан
слабколеговані шари
alloying
liquid phase epitaxy
disilane
weakly doped layers
Короткий огляд (реферат): Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24010
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2013. – №764

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
18-102-106.pdf255,87 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.