Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24010
Название: Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
Другие названия: Obtaining of weakly doped with silica thick I-GaAs layers by liquid-phase epitaxy method
Авторы: Ваків, М. М.
Круковський, С. І.
Тимчишин, В. Р.
Библиографическое описание: Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 102–106. – Бібліографія: 7 назв.
Дата публикации: 2013
Издательство: Видавництво Львівської політехніки
Ключевые слова: легуввання
рідиннофазна епітаксія
дисилан
слабколеговані шари
alloying
liquid phase epitaxy
disilane
weakly doped layers
Краткий осмотр (реферат): Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24010
Тип содержания: Article
Располагается в коллекциях:Електроніка. – 2013. – №764

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
18-102-106.pdf255,87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.