Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24003
Title: Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
Other Titles: The influence of over stoichiometry component on electrical and luminescence properties of layers ZnSe:Mn
Authors: Кінзерська, О. В.
Махній, В. П.
Погребенник, В. Д.
Пашук, А. В.
Bibliographic description (Ukraine): Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивостішарів ZnSe:Mn / О. В. Кінзерська, В. П. Махній, В. Д. Погребенник, А. В. Пашук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 95–97. – Бібліографія: 9 назв.
Issue Date: 2013
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: селенід цинку
дифузія
перехідний метал
провідність
люмінесценція
zinc selenide
diffusion
transition metal
conductivity
luminescence
Abstract: Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності і практично повного гасіння крайової смуги. The effect of annealing in saturated pair of Zn and Se on electrical and luminescent properties of diffusion layers ZnSe doped by Mn is studed. It is shown that Zn excess causes an increasing in electronic conductivity and intensity of edge emission band but Se excess leads to the inversion of the conductivity type and almost complete extinction of the edge band.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24003
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2013. – №764

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16-95-97.pdf201,54 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.