Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24003
Назва: Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
Інші назви: The influence of over stoichiometry component on electrical and luminescence properties of layers ZnSe:Mn
Автори: Кінзерська, О. В.
Махній, В. П.
Погребенник, В. Д.
Пашук, А. В.
Бібліографічний опис: Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивостішарів ZnSe:Mn / О. В. Кінзерська, В. П. Махній, В. Д. Погребенник, А. В. Пашук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 95–97. – Бібліографія: 9 назв.
Дата публікації: 2013
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: селенід цинку
дифузія
перехідний метал
провідність
люмінесценція
zinc selenide
diffusion
transition metal
conductivity
luminescence
Короткий огляд (реферат): Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності і практично повного гасіння крайової смуги. The effect of annealing in saturated pair of Zn and Se on electrical and luminescent properties of diffusion layers ZnSe doped by Mn is studed. It is shown that Zn excess causes an increasing in electronic conductivity and intensity of edge emission band but Se excess leads to the inversion of the conductivity type and almost complete extinction of the edge band.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24003
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2013. – №764

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
16-95-97.pdf201,54 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.