Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/23985
Назва: Вплив двійникової структури на провідність в LSGM
Інші назви: Influence of twin structure on conductivity in LSGM
Автори: Татарин, Т. Р.
Савицький, Д. І.
Шмідбауер, Е.
Паульманн, К.
Бісмаєр, У.
Бібліографічний опис: Вплив двійникової структури на провідність в LSGM / Т. Р. Татарин, Д. І. Савицький, Е. Шмідбауер, К. Паульманн, У. Бісмаєр // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 35–42. – Бібліографія: 10 назв.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: LSGM
іонна провідність
двійникова структура
LSGM
ionic conductivity
twin structure
Короткий огляд (реферат): Методом імпедансної спектроскопії було виявлено два механізми іонної провідності в пластині кристала La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O3-x (LSGM) а саме, провідність за об’ємом матеріалу та вздовж двійникових границь. Використовуючи метод поліхроматичної дифракції рентгенівського синхротронного випромінювання, було встановлено розподіл та орієнтацію цих границь піcля механічного та температурного оброблень. Ідентифіковано властиву для цього кристала шевроноподібну конфігурацію доменної структури, яка утворюється перетином стінок W-типу (121), (101) та (12 1). Показано можливість підвищення іонної провідності матеріалів на основі LSGM зміною їх доменної структури під дією механічних напружень. Two mechanisms of ionic conductivity, namely bulk and grain boundary conductivities were detected in crystal plate of La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O3-x (LSGM) by impedance spectroscopy method. Distribution of twin walls after mechanical and thermal treatments has been established using polychromatic X-ray synchrotron diffraction method. Chevron-like configuration of domain structure, formed by intersection of W-type walls (121), (101) and (121) has been identified. Possibility of increase of ionic conductivity of LSGM-based materials by changing of theire domain structure using mechanical pressure was shown.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/23985
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2010. – №681

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
7-35-42.pdf779,96 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.