Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/23554
Title: Point defects and physico-chemical properties of crystals in Pb-Bi-Te system
Other Titles: Точкові дефекти та фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-BI-Te
Authors: Freik, Dmytro
Turovska, Liliya
Bibliographic description (Ukraine): Freik D. Point defects and physico-chemical properties of crystals in Pb-Bi-Te system / Dmytro Freik, Liliya Turovska // Chemistry & Chemical Technology. – 2013. – Volume 7, number 4. – P. 375–380. – Bibliography: 14 titles.
Issue Date: 2013
Publisher: Publishing House of Lviv Polytechnic National University
Keywords: lead telluride
doping
solid solution
point defects
crystalquasichemical formula
defect formation
плюмбум телурид
легування
твердий розчин
точковий дефект
кристалоквазіхімічна формула
дефектоутворення
Abstract: Within crystalquasichemical formalism models of point defects of crystals in the Pb-Bi-Te system have been specified considering the amphoteric action of impurities in bismuth doped lead telluride PbTe:Bi, and solid solution formation mechanisms for РbТе-ВіТе and РbТе-Ві2Те3 have been examined.Dependences of Hall concentration and the concentration of point defects on the composition and the initial deviation from stoichiometry in the basic matrix have been calculated. У рамках кристалоквазіхімічного формалізму уточнено моделі точкових дефектів кристалів у системі Pb-Ві-Te з урахуванням амфотерної дії домішки в легованому вісмутом плюмбум телуриді PbTe:Bi та розглянуто механізми утворення твердих розчинів РbТе-ВіТе і РbТе-Ві2Те3. Розраховано залежності холлівської концентрації та концентрації точкових дефектів від складу і початкового відхилення від стехіометрії в основній матриці.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/23554
Content type: Article
Appears in Collections:Chemistry & Chemical Technology. – 2013. – Vol. 7, No. 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4-375-380.pdf470,56 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.