Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/21810
Title: Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE
Authors: Шаповал, П. Й.
Гумінілович, Р. Р.
Ятчишин, Й. Й.
Кусьнеж, В. В.
Ільчук, Г. А.
Bibliographic description (Ukraine): Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE / П. Й. Шаповал, Р. Р. Гумінілович, Й. Й. Ятчишин, В. В. Кусьнеж, Г. А. Ільчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2013. – № 761 : Хімія, технологія речовин та їх застосування. – С. 40–44. – Бібліографія: 16 назв.
Issue Date: 2013
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: тонкі плівки CdS
хімічне поверхневе осадження
тонкоплівкові гетеропереходи
CdS thin films
chemical surface deposition
heterojunction
Abstract: Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та+ фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe. This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/21810
Content type: Article
Appears in Collections:Хімія, технологія речовин та їх застосування. – 2013. – №761

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11-40-44.pdf514,36 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.