Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/21244
Назва: Перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (мікросхем на кристалі) структури «кремній-на-ізоляторі», побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах, в технології буріння
Автори: Петрушка, А. І.
Матвійків, Т. М.
Бібліографічний опис: Петрушка А. І. Перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (мікросхем на кристалі) структури «кремній-на-ізоляторі», побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах, в технології буріння / А. І. Петрушка, Т. М. Матвійків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 680 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 161–164. – Бібліографія: 7 назв.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Короткий огляд (реферат): Аналізуються перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (МЕМС), побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах (БМК) структури «кремній-на-ізоляторі» (КНІ), в технології глибокого та направленого буріння, яка характеризується наявністю високих температур, агресивних середовищ та значних механічних впливів. The article deals with analysis of the perspective of micromechanical systems (MEMS) application, based on specialize basic matrix crystals (BMC) of «silicon-on-insulator» (SOI) structure, in technology of deep and direct boring, which are characterized by high temperatures, aggressive environment and considerable mechanical influences.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/21244
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2010. – №680

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
30-161-164.pdf163,11 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.