Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/19941
Назва: Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів
Автори: Логуш, О. І.
Білинський, Ю. М.
Бібліографічний опис: Логуш О. І. Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів / О. І. Логуш, Ю. М. Білинський// Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доповідей, 5–7 квітня 2011 р., Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – С. 41.
Дата публікації: 2011
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/19941
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2011 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
38-41-41.pdf156,65 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.