Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18404
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБурий, О. А.-
dc.contributor.authorУбізський, С. Б.-
dc.contributor.authorМельник, С. С.-
dc.contributor.authorМатковський, А. О.-
dc.date.accessioned2013-04-19T08:01:32Z-
dc.date.available2013-04-19T08:01:32Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationМоделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерах / О. А. Бурий, С. Б. Убізський, С. С. Мельник, А. О. Матковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2004. – № 514 : Електроніка. – С. 60-71. - Бібліографія: 12 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttp://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18404-
dc.description.abstractРозглядаються монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та ітербієм (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогоюепітаксійно нарощеного шару Cr+:YAG. Визначаються оптимальні з точки зору досягнення максимальної енергії в лазерному імпульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала. Обгрунтовується можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні в якості генеруючого середовища кристалу Yb:YAG у порівнянні із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.subjectмікрочіповий лазерuk_UA
dc.subjectпасивна модуляція добротностіuk_UA
dc.subjectіттрій-алюмінієвий гранатuk_UA
dc.subjectmicrochip laseruk_UA
dc.subjectQ-switchinguk_UA
dc.subjectyttrium-aluminum garnetuk_UA
dc.titleМоделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерахuk_UA
dc.title.alternativeSimulation of lasing process in microchip lasersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Modeliuv.-protsesu-hener.-2004.pdf459,59 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора