Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18404
Назва: Моделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерах
Інші назви: Simulation of lasing process in microchip lasers
Автори: Бурий, О. А.
Убізський, С. Б.
Мельник, С. С.
Матковський, А. О.
Бібліографічний опис: Моделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерах / О. А. Бурий, С. Б. Убізський, С. С. Мельник, А. О. Матковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2004. – № 514 : Електроніка. – С. 60-71. - Бібліографія: 12 назв.
Дата публікації: 2004
Видавництво: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Теми: мікрочіповий лазер
пасивна модуляція добротності
іттрій-алюмінієвий гранат
microchip laser
Q-switching
yttrium-aluminum garnet
Короткий огляд (реферат): Розглядаються монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та ітербієм (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогоюепітаксійно нарощеного шару Cr+:YAG. Визначаються оптимальні з точки зору досягнення максимальної енергії в лазерному імпульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала. Обгрунтовується можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні в якості генеруючого середовища кристалу Yb:YAG у порівнянні із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18404
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Статті та тези

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Modeliuv.-protsesu-hener.-2004.pdf459,59 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора