Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18258
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorУбізський, С. Б.-
dc.contributor.authorБурий, О. А.-
dc.contributor.authorПотера, П.-
dc.contributor.authorМатковський, А. О.-
dc.date.accessioned2013-04-16T18:09:08Z-
dc.date.available2013-04-16T18:09:08Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationМоделi накопичення радiацiйних дефектiв в оксидних кристалах / С. Б. Убізський, О. А. Бурий, П. Потера, А. О. Матковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2004. – № 514 : Електроніка. – С. 23-32. - Бібліографія: 9 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttp://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18258-
dc.description.abstractУ роботі розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів в кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описуютьосновні процеси та явища, що мають місце при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість процесу утворення радіаційних дефектів процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.subjectрадіаційне дефектоутворенняuk_UA
dc.subjectоксидні кристалиuk_UA
dc.subjectradiation defects formation-
dc.subjectoxide crystals-
dc.titleМоделi накопичення радiацiйних дефектiв в оксидних кристалахuk_UA
dc.title.alternativeModels of the radiation defects accumulation in oxide crystals-
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Modeli-nakop.-radiat.-def.pdf247,93 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Admin Tools