Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18257
Назва: Епiтаксiйнi гранатовi структури для твердотiльних лазерiв
Інші назви: Epitaxial garnet structures for solid-state lasers
Автори: Убізський, С. Б.
Сиворотка, І. М.
Матковський, А. О.
Мельник, С. С.
Сиворотка, І. І.
Бібліографічний опис: Епiтаксiйнi гранатовi структури для твердотiльних лазерiв / С. Б. Убізський, І. М. Сиворотка, А. О. Матковський, С. С. Мельник, І. І. Сиворотка // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2004. – № 514 : Електроніка. - С. 9-23. - Бібліографія: 69 назв.
Дата публікації: 2004
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Теми: епітаксійні плівки
рідинно-фазна епітаксія
мікрочіпові лазери
дискові
Короткий огляд (реферат): У роботі представлені дослідження в області розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання в якості активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться НВП "Карат" та Лабораторією фізики оксидних кристалів Центру "Кристал" НУ "Львівська політехніка" з 1997р. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають в технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також шляхи їх розв'язання. В результаті досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробування яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18257
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Статті та тези

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Epitaksiini-hran.-struk.pdf398,96 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора