Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18063
Назва: Особливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненні
Автори: Крайчинський, А. М.
Красько, М. М.
Колосюк, А. Г.
Войтович, В. В.
Петруня, Р. В.
Поварчук, В. Ю.
Руденко, Р. Н.
Бібліографічний опис: Особливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненні / А. М. Крайчинський, М. М. Красько, А. Г. Колосюк, В. В. Войтович, Р. В. Петруня, В. Ю. Поварчук, Р. Н. Руденко // Десята відкрита наукова конференція Інституту прикладної математики та фундаментальних наук (ІМФН) : збірник матеріалів та програма конференції PSC-IMFS-10, 17–18 травня 2012 року (Львів, Україна) / Національний університет “Львівська політехніка”, Інститут прикладної математики та фундаментальних наук. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – C. D.2–D.3. – Бібліографія: 1 назва.
Дата публікації: 2012
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/18063
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Десята відкрита наукова конференція Інституту прикладної математики та фундаментальних наук. – 2012 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
95-Kraychynsky-D2-D3.pdf296,24 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.