Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/16049
Назва: Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів
Інші назви: The properties of AgSbSe2 thin films for thermoelectric converters
Автори: Рудий, О. І.
Курило, І. В.
Лопатинський, І. Є.
Фружинський, М. С.
Вірт, І. С.
Бібліографічний опис: Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів / І. О. Рудий, І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, І. С. Вірт // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 9–16. – Бібліографія: 9 назв.
Дата публікації: 2012
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: халькогенідні стекла
тонкі плівки
структура
оптичні властивості
chalcogenide glasses
thin films
structure
optical properties
Короткий огляд (реферат): Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження у вакуумі 1×10-5 Торр в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Товщина плівок становила 0,5–1 мкм залежно від кількості імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії, а плівок – методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання та оптичне поглинання плівок AgSbSe2, осаджених за різних температур. Досліджено термоелектричні властивості плівок. The results of experimental investigation of structural and optical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission and absorption spectra of AgSbSe2 deposited at various temperatures fil ms were investigated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/16049
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2012. – №734

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3-Rudy-9-16.pdf585,6 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.