Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13938
Назва: Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation
Автори: Irkha, Vasily
Gorbachev, Victor
Mikhalaki, Valeriy
Бібліографічний опис: IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles.
Дата публікації: 2012
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: p-n-junction
impurity centre
dark-patch defects
X-ray irradiation
Короткий огляд (реферат): The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13938
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
353.pdf103,07 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.