Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13938
Title: Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation
Authors: Irkha, Vasily
Gorbachev, Victor
Mikhalaki, Valeriy
Bibliographic description (Ukraine): IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles.
Issue Date: 2012
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: p-n-junction
impurity centre
dark-patch defects
X-ray irradiation
Abstract: The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13938
Content type: Article
Appears in Collections:Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
353.pdf103,07 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.