Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Si wires for strain sensor application
Authors: Druzhinin, Anatoly
Ostrovskii, Igor
Palewski, Tomasz
Nichkalo, Stepan
Koretskyy, Roman
Berezhanskii, Yevgen
Bibliographic description (Ukraine): Si wires for strain sensor application / Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Tomasz Palewski, Stepan Nichkalo, Roman Koretskyy, Yevgen Berezhanskii // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 478–479. – Bibliography: 4 titles.
Issue Date: 2012
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: InGa contacts
strain sensors
Abstract: Resistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity.
Content type: Article
Appears in Collections:Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
341.pdf157,57 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.