Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/1049
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМалик, О. П.-
dc.date.accessioned2009-09-08T07:34:02Z-
dc.date.available2009-09-08T07:34:02Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationМалик О. П. Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури / О. П. Малик // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2008. – № 625 : Фізико-математичні науки. – С. 86–89. – Бібліографія: 10 назв.uk
dc.identifier.urihttp://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/1049-
dc.description.abstractЗапропоновано близькодіючу модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчинні CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1). Розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain eld in the solid solution CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4:2 ¡ 300K are calculated.uk
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk
dc.subjectявища переносуuk
dc.subjectрозсіяння носіїв зарядуuk
dc.subjecttransport phenomena-
dc.subjectcharge carrier scattering-
dc.titleЛокальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температуриuk
dc.title.alternativeThe local electron interaction with the potential of the lattice defects in CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) solid solution at low temperature-
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Фізико-математичні науки. – 2008. – №625

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11.pdf596,31 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.