Search


Current filters:

Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-28 of 28 (Search time: 0.131 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
Article2002Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і оловаЗаячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.
Article2002Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTeМалик, О. П.; Кеньо, Г. В.
Article26-Mar-2002Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрикДружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.
Article26-Mar-2002Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тискуДорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.
Article2001Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-GеДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.
Article2001ЕПР кристалів PbTe:GЗаячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.
Article2001Розробка рентабельних процесів формування фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елементівЄрохов, В. Ю.; Милянич, А. О.; Богдановський, Ю. М.
Article26-Mar-2002Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTeМалик, О. Л.; Кеньо, Г. В.
Article2001Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAsЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.
Article2002Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2)Іжнін, І. І.
Article2002Низькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основіБерченко, М. М.; Богобоящий, В. В.; Власов, А. П.; Іжнін, І. І.; Яковина, B. C.
Article2002Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергіїЄрохов, В. Ю.
Article2002Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.
Article2002П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структурДружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Лавитська, О. М.; Кутраков, О. П.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.
Article2001Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремніюОстровський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.
Article2001Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.
Article26-Mar-2002Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.
Article2001Дослідження процесів реактивної лазерної кристалізації та модифікації властивостей тонких шарів окисних люмінофорних матеріалівБобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.
Article2001Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротностіБурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.
Article2002Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-SiДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.
Article2002Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.
Article2002Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементівЄрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.
Article2002Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленнямБобицъкий, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Середницький, А. С.
Article2002Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕКруковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.
Article2002Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалівБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.
Article2002Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSbБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.
Article2001Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардуванняБерченко, M. M.; Богобоящий, В. В.; Іжнін, І. І.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.
Article2001Модифікація приповерхневих шарів твердих розчинів (Cd,Hg)Te імпульсним лазерним випромінюваннямЗагіней, A.O.; Котлярчук, Б.К.
Results 1-28 of 28 (Search time: 0.131 seconds).
  • previous
  • 1
  • next