Browsing by Subject indium arsenide

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 6 of 6
PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
Article2013Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕВаків, М. М.; Круковський, Р. С.
Article2013Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фазиБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Article2010Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.; Віерербл, Л.; Дюран, І.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Мороз, А. П.; Ковальова, Н. В.
Article2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2012Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фазиСтецко, Р. М.