Browsing by Author Круковський, С. І.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 17 of 17
PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
Article2001Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAsЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.
Article2002Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕКруковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.
Article2009Відпрацювання технології вирощування квантових точок в системі GaAs/InAs модифікованим методом РФЕЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.
Article2002Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.
Article2011Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSbВаків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.
Article2011Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSbВавків, М. М.; Круковський, Р. С.; Круковський, С. І.
Technical Report2010Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAsВаків, М. М.; Круковський, Р. С.; Круковський, С. І.
Article2010Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAsВаків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.
Article1-Mar-2005Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксіїЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.
Article2011Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних сполукВавків, М. М.; Тимчишин, В. Р.; Круковський, С. І.; Рейкін, Б. О.
Article2011Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структурВаків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Article2004Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки YbЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Article2000Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕКруковський, С. І.; Завербний, І. Р.
Article2013Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксіїВаків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Article2000Радіаційно-стимульоване впорядкування гетеросистем GаAs-AlGaAs, легованих ітербіємКруковський, С. І.
Article2007Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходомМрихін, І. О.; Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Іжнін, О. І.; Михащук, Ю. С.; Григорчак, І. І.
Article2009Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.