Перегляд зібрання за групою - Автори Большакова, І. А.

Перейти до: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y
або ж введіть декілька перших літер:  
Результати від 1 до 20 із 36  далі >
ТипДата випускуНазваАвтор(и)
Article2003Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратівБольшакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.
Article2013Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фазиБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Article2009Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметриБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Technical Report2010Вплив опромінення високоенергетичними нейтрнами та електронами на плівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.
Article2010Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2013Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерівБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Technical Report2010Гальваномагнітні пристрої вимірювання квазістаціонарних магнітних полів реакторів термоядерного синтезуБольшакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Марусенков, Т. А.
Article2009Дослідження впливу нейтронного опромінення на мікрокристали InAsSb, вирощені з газової фазиБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поляБольшакова, І. А.; Віерербл, Л.; Дюран, І.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Мороз, А. П.; Ковальова, Н. В.
Article2008Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inasБольшакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.
Article2004Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індіюБольшакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2000Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 ТА InAs-Sn-J2Большакова, І. А.; Воронін, В. О.; Копцев, П. С.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.
Article2011Дослідження сенсорів магнітного поля в прискорювачі електронів "Elias" в режимі on-lineБольшакова, І. А.; Загачевський, Ю.; Єрашок, В. Е.; Ковальова, Н. В.; Мороз, А. П.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2003Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525КБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.
Article2008Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакційБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Моделювання процесу вирощування мікрокристалів Ge в системі Ge-J2Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Швець, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Article2011Моделювання розщеплення холлівських структур засобами Femlab та MatlabГотра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Большакова, І. А.; Марусенкова, Т. А.
Article2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2007Нові підходи та апаратура для real-time дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах.Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Є.; Марусенков, А. В.; Мороз, А. П.
Article2000Об'ємне моделювання процесів у холлівських пластинах в сильно неоднорідних магнітних поляхБольшакова, І. А.; Бондарєв, А. П; Тихонюк, Р. Б.