Перегляд зібрання за групою - Теми 621.315.592

Перейти до: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y
або ж введіть декілька перших літер:  
Результати від 1 до 10 із 15
Попередній переглядТипДата випускуНазваАвтор(и)
Article2002Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-SiДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.
Article2002Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕКруковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.
Article2002Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSbБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.
Article2002Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементівЄрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.
Article2002Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.
Article2001ЕПР кристалів PbTe:GЗаячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.
Article2002Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалівБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.
Article2001Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардуванняБерченко, M. M.; Богобоящий, В. В.; Іжнін, І. І.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.
Article2001Модифікація приповерхневих шарів твердих розчинів (Cd,Hg)Te імпульсним лазерним випромінюваннямЗагіней, A.O.; Котлярчук, Б.К.
Article2002Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTeМалик, О. П.; Кеньо, Г. В.